перехода образуется при подключении внешнего источника в прямом направлении
(U>0).Инжекция носителей заряда при этом из одной области кристалла в другую приводит к возникновению около запирающего слоя зарядов противоположной полярности
где ΔQинж – изменение величины инжектированного заряда из одной области в другую;
Δ U – изменение величины приложенного к p-n переходу напряжения.
Другие типы p-n – переходов . Контакт «металл-полупроводник» (отсутствует диффузионная ёмкость) – переход Шоттки
Полупроводниковый диод – прибор, содержащий один электронно-дырочный переход, либо контакт «металл-полупроводник», обладающий вентильными свойствами.
