Презентация на тему Производство монокристалов кремния

Содержание

2. Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом
3. Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается
4. Установка состоит из следующих блоков печь, включающая
5. Скачать презентацию
6. Похожие презентации

Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского (до 80—90 % потребляемого электронной промышленностью) и в меньшей степени методом бестигельной зонной плавки.

Главная
Разное
Производство монокристалов кремния

Выполнил Цолан Р.И.Производство монокристалов кремния

Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского (до 80—90 % потребляемого

Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет

Установка состоит из следующих блоков печь, включающая в себя тигель (8), контейнер

Выращивание кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки (БЗП) осуществляют на основе одновиткового

Слайды презентации

Слайд 2 Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского

Производство монокристаллов кремния в основном осуществляют методом Чохральского (до 80—90 %

(до 80—90 % потребляемого электронной промышленностью) и в меньшей

степени методом бестигельной зонной плавки.

Слайд 3 Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в

Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за

росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или

газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела.

Метод Чохральского

Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость - твердое тело.
Скорость роста V определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями переноса на границе раздела.

Слайд 4 Установка состоит из следующих блоков
печь, включающая в

Установка состоит из следующих блоков печь, включающая в себя тигель (8),

себя тигель (8), контейнер для поддержки тигля (14), нагреватель

(15), источник питания (12), камеру высокотемпературной зоны (6) и изоляцию (3, 16);
механизм вытягивания кристалла, включающий в себя стержень с затравкой (5), механизм вращения затравки (1) и устройство ее зажима, устройство вращения и подъема тигля (11);
устройство для управления составом атмосферы (4 - газовый вход, 9 - выхлоп, 10 - вакуумный насос);
блок управления, состоящий из микропроцессора, датчиков температуры и диаметра растущего слитка (13, 19) и устройств ввода;
дополнительные устройства: смотровое окно - 17, кожух - 2.

Оборудование для выращивания монокристаллического кремния