Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Характеристики и параметры интегральных микросхем

Содержание

Общие параметры ИМСНапряжение(я) питания Uпит (В)Диапазон рабочих температурТемпература конденсации влаги при относительной влажности 98%Вибрационные нагрузки по частоте (Гц)Вибрационные нагрузки по ускорению (м/с2)
Характеристики и параметры интегральных микросхем Общие параметры ИМСНапряжение(я) питания Uпит (В)Диапазон рабочих температурТемпература конденсации влаги при относительной Гарантированная наработка на отказ (ч)Интенсивность отказов – плотность вероятности возникновения отказа в Параметры аналоговых ИМСПараметры аналоговых ИМС соответствуют параметрам устройств, которые реализованы в данных Параметры цифровых интегральных микросхемУровни напряжений логического «0» и логической «1»: Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых элементов данной серии, которое Коэффициент объединения по входу Коб – число входов данного элемента.Статическая помехоустойчивость – Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его достижении микросхема переходит из Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход элемента импульсов определенной формы, Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения сигнала: tзд.р.ср.=0,5*(tзд.р.1,0+ tзд.р.0,1) * быстродействие сложной логической схемы находится как сумма tзд.р.ср. для Средняя статическая мощность потребления Pср.Pср= 0.5*(P0 + P1), где  P0 – Динамическая мощность Pдин –  мощность, измеренная на предельной частоте. Pдин > Предельные входные токи при сигналах логического «0» и «1»:  I0вх; I1вх
Слайды презентации

Слайд 2 Общие параметры ИМС
Напряжение(я) питания Uпит (В)
Диапазон рабочих температур
Температура

Общие параметры ИМСНапряжение(я) питания Uпит (В)Диапазон рабочих температурТемпература конденсации влаги при

конденсации влаги при относительной влажности 98%
Вибрационные нагрузки по частоте

(Гц)
Вибрационные нагрузки по ускорению (м/с2)

Слайд 3 Гарантированная наработка на отказ (ч)

Интенсивность отказов – плотность

Гарантированная наработка на отказ (ч)Интенсивность отказов – плотность вероятности возникновения отказа

вероятности возникновения отказа в заданном промежутке времени:




N1 – число ИМС безотказно проработавших к моменту времени t; N – число изначально исправных ИМС; T – время проведения испытаний.


Слайд 4 Параметры аналоговых ИМС
Параметры аналоговых ИМС соответствуют параметрам устройств,

Параметры аналоговых ИМСПараметры аналоговых ИМС соответствуют параметрам устройств, которые реализованы в

которые реализованы в данных микросхемах.
# для интегральных

усилителей основными параметрами будут коэффициент усиления, диапазон усиливаемых частот. В качестве характеристик АЧХ, ФЧХ и др.

Слайд 5 Параметры цифровых интегральных микросхем
Уровни напряжений логического «0» и

Параметры цифровых интегральных микросхемУровни напряжений логического «0» и логической «1»:

логической «1»:

# для ТТЛ


U0 ≤0.4В; U1 ≥2.4 В.

# для КМОП логики
U0 ≤ 0,3Uпит; U1 ≥0.7 Uпит.


Слайд 6 Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых

Коэффициент разветвления по выходу Кразв– число входов базовых элементов данной серии,

элементов данной серии, которое можно подключить к выходу элемента

без дополнительных устройств согласования.

# для ТТЛ Кразв = 10
для КМОП Кразв = 100


Слайд 7 Коэффициент объединения по входу Коб – число входов

Коэффициент объединения по входу Коб – число входов данного элемента.Статическая помехоустойчивость

данного элемента.
Статическая помехоустойчивость – определяется уровнем напряжения, подаваемого на

вход элемента относительно 0 и 1 при котором состояние микросхемы не меняется.

Слайд 8 Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его

Uпор - пороговый уровень переключения микросхемы. При его достижении микросхема переходит

достижении микросхема переходит из одного логического состояния в другое;

U 0ст.пу - уровень статической помехоустойчивости относительно «0»;
U 1ст.пу - уровень статической помехоустойчивости относительно «1». U 0ст.пу = Uпор - U0; U 1ст.пу = U 1 - Uпор.
# Для ТТЛ |U 0ст.пу| = |U 0ст.пу| ≥ 0,4


Слайд 9 Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход

Динамическая помехоустойчивость – оценивается при подаче на вход элемента импульсов определенной

элемента импульсов определенной формы, длительности и амплитуды.
Параметры динамической помехоустойчивости:

амплитуда помехи Uп и ее длительность τп

Слайд 11 Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения

Быстродействие – определяется по среднему времени задержки распространения сигнала: tзд.р.ср.=0,5*(tзд.р.1,0+ tзд.р.0,1)

сигнала:
tзд.р.ср.=0,5*(tзд.р.1,0+ tзд.р.0,1)


Слайд 12 * быстродействие сложной логической схемы находится

* быстродействие сложной логической схемы находится как сумма tзд.р.ср. для

как сумма tзд.р.ср. для всех последовательно включенных микросхем.

# для ТТЛ tзд.р.ср. ~ 20 нс,
для КМОП tзд.р.ср. ~ 200 нс,

* также для оценки быстродействия используют предельную рабочую частоту fпр. Для ТТЛ fпр =10 МГц, для КМОП fпр = 1 МГц.

Слайд 13 Средняя статическая мощность потребления Pср.
Pср= 0.5*(P0 + P1),

Средняя статическая мощность потребления Pср.Pср= 0.5*(P0 + P1), где P0 –

где
P0 – мощность при логическом «0» на

выходе; P1 - мощность при логической «1» на выходе.
* Также для оценки потребляемой энергии используют параметр ток потребления Iпотр (мА).

Слайд 14 Динамическая мощность Pдин –
мощность, измеренная на

Динамическая мощность Pдин – мощность, измеренная на предельной частоте. Pдин >

предельной частоте. Pдин > Pср.

В общем случае

Pдин= f*Cн*(U1-U0), где
f – частота входных импульсов,
Cн – емкость нагрузки.

  • Имя файла: harakteristiki-i-parametry-integralnyh-mikroshem.pptx
  • Количество просмотров: 78
  • Количество скачиваний: 0