Презентация на тему Эпитаксиальное наращивание тонких плёнок

Содержание

2. Эпитаксией называется ориентированное наращивание слоёв, кристаллическая структура
3. В настоящее время существуют два основных
4. Молекулярно-лучевая эпитаксия Молекулярно-лучевая эпитаксия проводится в вакууме
5. Основными преимуществами метода являются: низкая температура процесса
6. Газо-фазная эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОСГЭ)Этот
7. К недостаткам МОС-гидридного метода можно отнести высокую
8. Скачать презентацию
9. Похожие презентации

Эпитаксией называется ориентированное наращивание слоёв, кристаллическая структура которых повторяет структуру подложки.Обычно материалы эпитаксиальной плёнки и подложки одинаковы, но иногда применяются и разные материалы с близкой кристаллической структурой, например, кремний на сапфире.

Главная
Разное
Эпитаксиальное наращивание тонких плёнок

Эпитаксиальное наращивание тонких плёнок

Эпитаксией называется ориентированное наращивание слоёв, кристаллическая структура которых повторяет структуру подложки.Обычно материалы

В настоящее время существуют два основных технологических метода эпитаксии, позволяющие формировать

Молекулярно-лучевая эпитаксия Молекулярно-лучевая эпитаксия проводится в вакууме и заключается в осаждении испарённых

Основными преимуществами метода являются: низкая температура процесса и высокая управляемость уровнем легирования.Подбором

Газо-фазная эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОСГЭ)Этот метод не требует дорогостоящего оборудования

К недостаткам МОС-гидридного метода можно отнести высокую токсичность используемых исходных соединений, в

Жидкофазная эпитаксия. Жидкофазная эпитаксия в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений,

Слайды презентации

Слайд 2 Эпитаксией называется ориентированное наращивание слоёв, кристаллическая структура которых

Эпитаксией называется ориентированное наращивание слоёв, кристаллическая структура которых повторяет структуру подложки.Обычно

повторяет структуру подложки.
Обычно материалы эпитаксиальной плёнки и подложки одинаковы,

но иногда применяются и разные материалы с близкой кристаллической структурой, например, кремний на сапфире.

Слайд 3 В настоящее время существуют два основных технологических

В настоящее время существуют два основных технологических метода эпитаксии, позволяющие

метода эпитаксии, позволяющие формировать многослойные структуры со сверхтонкими слоями:

- молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
-газо-фазная эпитаксия, в том числе с использованием металлоорганических соединений (МОС) и гидридов (ГФЭ МОС).

Слайд 4 Молекулярно-лучевая эпитаксия
Молекулярно-лучевая эпитаксия проводится в вакууме и заключается

Молекулярно-лучевая эпитаксия Молекулярно-лучевая эпитаксия проводится в вакууме и заключается в осаждении

в осаждении испарённых элементарных компонентов на подогретую монокристаллическую подложку.

Этот процесс иллюстрируется с помощью рисунка, на котором приведены основные элементы для получения соединения (GaAs).

Слайд 5 Основными преимуществами метода являются: низкая температура процесса и

Основными преимуществами метода являются: низкая температура процесса и высокая управляемость уровнем

высокая управляемость уровнем легирования.
Подбором температуры нагревателей и подложки получают

пленки со сложным химическим составом. Дополнительное управление процессом наращивания осуществляется с помощью заслонок, расположенных между нагревателем и подложкой. Использование этих заслонок позволяет резко прерывать или возобновлять попадание любого из молекулярных пучков на подложку.
Толщина выращиваемых таким способом плёнок составляет 1…15мкм,и даже плёнки толщиной около 0,1 мкм.

Слайд 6
Газо-фазная эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОСГЭ)

Этот метод

Газо-фазная эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОСГЭ)Этот метод не требует дорогостоящего

не требует дорогостоящего оборудования и обладает высокой производительностью. Достоинствами

МОСГЭ являются также необратимость химических реакций и отсутствие в парогазовой смеси химически активных компонентов. Это позволяет: - проводить процесс эпитаксии при сравнительно низких температурах роста
- осуществлять прецизионную подачу исходных веществ, что позволяет обеспечить контролируемое легирование слоев и получение структур в широком диапазоне твердых растворов с резкими концентрационными переходами.

Слайд 7 К недостаткам МОС-гидридного метода можно отнести высокую токсичность

К недостаткам МОС-гидридного метода можно отнести высокую токсичность используемых исходных соединений,

используемых исходных соединений, в первую очередь арсина, а также

сложность химических процессов, приводящих к образованию слоя GaAs, что затрудняет моделирование условий образования эпитаксиальных слоев с нужными свойствами.
Особенность метода состоит в том, что в эпитаксиальном реакторе создается высокотемпературная зона, в которую поступает газовая смесь, содержащая разлагаемое соединение. В этой зоне протекает реакция и происходит выделение и осаждение вещества на подложке, а газообразные продукты реакции уносятся потоком газа-носителя.