Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Диоды Ганна

История открытия(диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод; TED – Transferred-Electron Device) Идею получения отрицательной дифференциальной проводимости предложили Ридли и Уоткинс в 1961 г.Генерацию СВЧ колебаний в образце GaAs наблюдал Ганн в 1963 г.Связь наблюдаемого явления с
НИУ МЭИКафедра Полупроводниковой электроники Дисциплина: Полупроводниковые СВЧ приборыРис. 40 в Тема 7. Диоды Ганна История открытия(диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод; TED – Transferred-Electron Device) Идею Рис. 41 аEvEgEc1Ec2EkΔEg ≈ 1,45 эВ;Зонная структура GaAsΔ ≈ 0,36 эВμ 1 Рис. 41 б3. E ≈ Δ ; μ d < 0 ; Образование домена сильного поля К+U0АLℰ0ℰℰ0xx2x1x3n0n ℰdt1L0Рис. 42vdℰ' it 1 2 3 4 5 В однородном образце повышаем U0 до -ε Зарождение и рост доменаРис. 43 б εvε dε 0v 0ε d (v )abХарактеристика в режиме стационарного доменаРис. 44 а Доменные режимы работы диода ГаннаПролетный режим. Изменение U мало; η мал; Δ
Слайды презентации

Слайд 2 История открытия
(диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод; TED –

История открытия(диод с междолинным переходом электронов, МЭП-диод; TED – Transferred-Electron Device)

Transferred-Electron Device)
Идею получения отрицательной дифференциальной проводимости предложили Ридли

и Уоткинс в 1961 г.
Генерацию СВЧ колебаний в образце GaAs наблюдал Ганн в 1963 г.
Связь наблюдаемого явления с предложенной ранее моделью установил Кремер в 1964 г.

Рис. 40 г

После работы Кремера новые приборы начали бурно развиваться


Слайд 3 Рис. 41 а



Ev
Eg
Ec1
Ec2
E
k
Δ
Eg ≈ 1,45 эВ;
Зонная структура GaAs
Δ

Рис. 41 аEvEgEc1Ec2EkΔEg ≈ 1,45 эВ;Зонная структура GaAsΔ ≈ 0,36 эВμ

≈ 0,36 эВ
μ 1 = 8000 см2 /(В с);
μ

2 = 180 см2 /(В с)

T = 300 K ;

Образец n-типа


Слайд 4 Рис. 41 б
3. E ≈ Δ ; μ

Рис. 41 б3. E ≈ Δ ; μ d < 0

d < 0 ; σ d < 0
Формирование

участка отрицательной диффер. проводимости

Слайд 5 Образование домена сильного поля



К
+U0
А
L
ℰ0

ℰ0
x
x2
x1
x3
n0
n
ℰd
t1
L
0
Рис. 42
vd
ℰ'

Образование домена сильного поля К+U0АLℰ0ℰℰ0xx2x1x3n0n ℰdt1L0Рис. 42vdℰ'

Слайд 6



i
t
1
2
3
4
5
В однородном

it 1 2 3 4 5 В однородном образце повышаем U0

образце повышаем U0 до ℰa · L (пунктир)
Зарождение домена

у катода
Движение и рост домена
Движение стационарн. домена
Выход домена в анод
Зарождение нового домена

Флуктуации тока в образце в пролетном режиме

Рис. 43 а


Слайд 7
Зарождение и рост домена
Рис. 43 б

-ε Зарождение и рост доменаРис. 43 б

Слайд 8
ε
v
ε d



ε 0
v 0

ε d (v )

a
b

Характеристика в

εvε dε 0v 0ε d (v )abХарактеристика в режиме стационарного доменаРис. 44 а

режиме стационарного домена
Рис. 44 а


  • Имя файла: diody-ganna.pptx
  • Количество просмотров: 122
  • Количество скачиваний: 0