- Главная
- Разное
- Бизнес и предпринимательство
- Образование
- Развлечения
- Государство
- Спорт
- Графика
- Культурология
- Еда и кулинария
- Лингвистика
- Религиоведение
- Черчение
- Физкультура
- ИЗО
- Психология
- Социология
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Маркетинг
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Что такое findslide.org?
FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.
Обратная связь
Email: Нажмите что бы посмотреть
Презентация на тему Введение в эпитаксиальные технологии
Содержание
- 2. Зонная структураФормирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
- 3. Переход от атома к решётке
- 4. Взаимодействие изолированного атома с квантом света
- 5. Вынужденное излучение
- 6. Излучательная рекомбинация электрона и дыркиИзлучательная рекомбинация электрона и дырки: а – спонтанное излучение; б – вынужденное
- 7. Устройство инжекционного п/п лазера
- 8. Устройство инжекционного п/п лазера
- 9. Окна прозрачности оптического волокна
- 10. Нобелевская премия 20 векаЖорес Иванович АлфёровPrize motivation: "for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"
- 11. Эпитаксияεπι – на , ταξισ – упорядоченность
- 12. Классификация эпитаксии по агрегатному состоянию среды
- 13. Рассогласование по параметру решётки*допустимо не более 15%**важно
- 14. Метод измерения кривизны растущей структурыНапряжённый эпитаксиальный слой растягивает или сжимает подложку
- 15. Латеральный рост
- 18. Вакуумная лампа накаливания⇑Температуры нити – ⇑ КПД.⇑
- 19. Газонаполненная лампа накаливанияГаз меняет процесс массопереноса.Он препятствует
- 20. Галогеновая лампа накаливанияИспаряющийся W реагирует с йодом.Реакция
- 23. Механизм ростаВстраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с поверхностью обратимая (под действием температуры)
- 26. Газофазная эпитаксия
- 27. Схема реактора
- 28. Скоростной и концентрационный пограничные слои
- 29. Пограничный слой
- 30. Механизм роста
- 31. Примеры установок
- 33. Молекулярно-пучковая эпитаксия
- 34. Ячейка Кнудсена
- 35. Типичная МПЭ установка
- 36. Другие виды эпитаксии Конденсация из паровой фазы в
- 37. Скачать презентацию
- 38. Похожие презентации
Зонная структураФормирование электронных зон в твердом теле из энергетических уровней изолированных атомов
Слайд 2
Зонная структура
Формирование электронных зон в твердом теле из
энергетических уровней изолированных атомов
Слайд 6
Излучательная рекомбинация электрона и дырки
Излучательная рекомбинация электрона и
дырки:
а – спонтанное излучение; б – вынужденное
Слайд 10
Нобелевская премия 20 века
Жорес Иванович Алфёров
Prize motivation: "for developing
semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics"
Слайд 13
Рассогласование по параметру решётки
*допустимо не более 15%
**важно также,
чтобы слой и подложка имели близкие значения коэффициентов термического
расширения
Слайд 14
Метод измерения кривизны растущей
структуры
Напряжённый эпитаксиальный слой растягивает или
сжимает подложку
Слайд 18
Вакуумная лампа накаливания
⇑Температуры нити – ⇑ КПД.
⇑ Температуры
нити – ⇑ испарения W
W создает непрозрачное покрытие
Скорость осаждения
W~1/r2 ⇒⇒Увеличение r
Аналог молекулярно-пучковой эпитаксии
Слайд 19
Газонаполненная лампа накаливания
Газ меняет процесс массопереноса.
Он препятствует свободному
полету
атомов W.
Вокруг нити образуется область,
обогащенная парами W.
W частично переосаждается
на
нить накаливания.Не переосадившийся W
диффундирует в газе к стенкам,
в значительной степени увлекаясь
вверх конвекционным потоком.
Снижается скорость испарения W.
W оседает преимущественно
на верхней поверхности лампы.
Размеры лампы по прежнему большие.
Аналог физической газофазной эпитаксии
Слайд 20
Галогеновая лампа накаливания
Испаряющийся W реагирует с йодом.
Реакция идет
и в газе, и на стенках
(если они горячее 300-400оС).
Йодиды
вольфрама летучи.Если нет холодных поверхностей,
пары йодидов вольфрама
заполняют лампу и разлагаются на
поверхности раскаленной нити, тем
самым «восстанавливая» ее.
При заданной температуре нити
увеличивается срок службы лампы.
Не изменяя срок службы лампы,
можно существенно повысить
температуру нити, повысив КПД.
Стенки лампы очищаются – можно
(и нужно для их разогрева) уменьшать
размеры лампы.
Аналог химической ГФЭ
Слайд 23
Механизм роста
Встраивание происходит равномернее, если реакция адатомов с
поверхностью обратимая (под действием температуры)
Слайд 36
Другие виды эпитаксии
Конденсация из паровой фазы в вакууме.
Метод заключается в испарении или распылении материала в вакууме
и осаждении его на монокристаллическую подложку.Жидкофазная эпитаксия. Заключается в наращивании монокристаллического слоя из металлического расплава, насыщенного полупроводниковым материалом.
Твердофазная эпитаксия. При нагреве многослойной структуры происходит перекристаллизация одной из фаз и ее ориентированный рост на монокристаллическую подложку.
