Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.

Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния

Содержание

Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора. Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2
ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы решения 1исходная2имплантацияОбразец кремния схематичноИсходная областьИонная имплантация:фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2) КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕИ – источник рентг. излученияЩ – Топография монокристалов Siа) Lext=2,1мкмб) Lext=1,05мкмв) Lext=0,75мкмХ-лучевые топограмы монокристала Si:CuKα-излучение, входящая плоскость (111)1112221-исходная область;2-имплантированаяс17 Атомно-силовая микроскопия образца Siб)а)Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Siа) исходная областьб) имплантированая область18 Схема трехосного рентгеновского дифрактометра Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. Кривые дифракционного отражения монокристалла Si -800 -600 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:сопоставление теоретической и экспериментальных кривых Выводы:.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы
Слайды презентации

Слайд 2 Цель работы

Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов

Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации

Si после имплантации ионов фосфора.
Энергия имплантованных ионов -

Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2

Слайд 3 Для реализации цели:
Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального

Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы

спектрометра;
Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы

рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах

Слайд 4 1
исходная
2
имплантация
Образец кремния схематично
Исходная область
Ионная имплантация:
фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

1исходная2имплантацияОбразец кремния схематичноИсходная областьИонная имплантация:фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

Слайд 5 КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ
В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ
И –

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕИ – источник рентг. излученияЩ

источник рентг. излучения
Щ – щель
П – пленка
К – кристалл
Основное

условие:



Схема
эксперимента

Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота 
при повороте кристалла вокруг
вектора дифракции

0 < 0  cos  tgBctg дифракция Лауэ; 00  cos 000cos0,h<tgBctg эффект ПВО
0  0  кр дифракція Брэгга
и эффект ПВО

Слайд 6 Топография монокристалов Si
а) Lext=2,1мкм
б) Lext=1,05мкм
в) Lext=0,75мкм
Х-лучевые топограмы монокристала

Топография монокристалов Siа) Lext=2,1мкмб) Lext=1,05мкмв) Lext=0,75мкмХ-лучевые топограмы монокристала Si:CuKα-излучение, входящая плоскость (111)1112221-исходная область;2-имплантированаяс17

Si:
CuKα-излучение,
входящая плоскость (111)
1
1
1
2
2
2
1-исходная область;
2-имплантированаяс
17

Слайд 7 Атомно-силовая микроскопия образца Si
б)
а)
Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца

Атомно-силовая микроскопия образца Siб)а)Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Siа) исходная областьб) имплантированая область18

Si
а) исходная область
б) имплантированая область
18

Слайд 8 Схема трехосного рентгеновского дифрактометра
Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр

Схема трехосного рентгеновского дифрактометра Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD

PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного

отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .

Рентгеновская трубка

монохроматор

исследуемый образец

детектор

Слайд 9 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si

-800

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si -800 -600 -400

-600 -400 -200 0

200 400 600 800 ∆θ

lg(I/I0)

1E-3

0.1

1

2

отражение (111),
CuКa- излучение

1 – исходная область,
2 – имплантированная область

Слайд 10 Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:
сопоставление теоретической и экспериментальных

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:сопоставление теоретической и экспериментальных кривых

кривых
-600

-400 -200 0 200 400 600 ∆θ

lg(I/I0)

отражение (333),
CuКα - излучение

1 – экспериментальная кривая,
2 – теоретически рассчитанная кривая.

1

2

0  500 1000 1500 2000 2500 Z, нм

2

1

0

-1

-2

∆d/d *10-3

Профиль деформации в приповерхностных
слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора

0 2000 4000 6000 8000 Z,E

6

5

4

3

2

n*10-19

1

Распределение имплантированных ионов фосфора
в кристалле кремния, полученное с помощью
программного пакета SRIM-2003

  • Имя файла: vliyanie-implantatsii-ionov-fosfora-na-strukturnye-izmeneniya-v-poverhnostnyh-sloyah-monokristalla-kremniya.pptx
  • Количество просмотров: 100
  • Количество скачиваний: 0
- Предыдущая Пермский период
Следующая - Специальная педагогикаРаздел 3. Педагогические системы специального образования

Похожие презентации

Выталкивающая сила. Выталкивающая сила. 81
Энергетическая политика России Энергетическая политика России 126
Индукция поля Индукция поля 157
Явление молнии Явление молнии 130
Мастер класс в помощь учителю физики Мастер класс в помощь учителю физики 114
Световые волны физика Световые волны физика 172
Закон Паскаля. Сполучені посудини. 8 клас Закон Паскаля. Сполучені посудини. 8 клас 150
Решение задач Давление Решение задач Давление 120
Диффузия Диффузия 104
Наша группа работала над вопросом Наша группа работала над вопросом 99
Презентация по физике на тему Ядерный реактор Презентация по физике на тему Ядерный реактор 104
Атомның құрылысы. Резерфорд тәжірибесі Атомның құрылысы. Резерфорд тәжірибесі 388
Строение атома Строение атома 116
Подготовка к ЕГЭ. Решение задач по теме Молекулярная физика. Термодинамика Подготовка к ЕГЭ. Решение задач по теме Молекулярная физика. Термодинамика 143
Механическое движение Механическое движение 90
Силы действующие на тело Силы действующие на тело 134
Строение атомного ядра Строение атомного ядра 93
Химическая технология топлива Химическая технология топлива 115
Синтез плазмы Синтез плазмы 144
Урок для 6 класса по теме Виды сил Урок для 6 класса по теме Виды сил 132
Полное отражение света Полное отражение света 127
Энергия конденсатора Энергия конденсатора 116
Я познаю мир Я познаю мир 121
Влияние радиации на человека Влияние радиации на человека 129
Физика и познание мира Физика и познание мира 120
ТБ при проведении лабораторных работ по электричеству в школе ТБ при проведении лабораторных работ по электричеству в школе 122
Деление ядер Деление ядер 102
Петля Нестерова Петля Нестерова 150
Физические качества Физические качества 147
Закон радиоактивного распада Закон радиоактивного распада 129