Что такое findtheslide.com?

FindTheSlide.com - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация, доклад на тему Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния

Презентация на тему Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния, из раздела: Физика. Эта презентация содержит 11 слайда(ов). Информативные слайды и изображения помогут Вам заинтересовать аудиторию. Скачать конспект-презентацию на данную тему можно внизу страницы, поделившись ссылкой с помощью социальных кнопок. Также можно добавить наш сайт презентаций в закладки! Презентации взяты из открытого доступа или загружены их авторами, администрация сайта не отвечает за достоверность информации в них. Все права принадлежат авторам презентаций.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1
ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА  СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ  МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ
Текст слайда:

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ


Слайд 2
Цель работыИсследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов
Текст слайда:

Цель работы


Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора.
Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2


Слайд 3
Для реализации цели:Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;Использовано численные методы решения
Текст слайда:

Для реализации цели:

Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра;
Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах


Слайд 4
1исходная2имплантацияОбразец кремния схематичноИсходная областьИонная имплантация:фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)
Текст слайда:

1
исходная

2
имплантация

Образец кремния схематично

Исходная область

Ионная имплантация:
фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)


Слайд 5
КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕИ – источник рентг. излученияЩ –
Текст слайда:

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ
В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ

И – источник рентг. излучения
Щ – щель
П – пленка
К – кристалл

Основное условие:



Схема
эксперимента

Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота 
при повороте кристалла вокруг
вектора дифракции

0 < 0  cos  tgBctg дифракция Лауэ; 00  cos 000cos0,h<tgBctg эффект ПВО
0  0  кр дифракція Брэгга
и эффект ПВО


Слайд 6
Топография монокристалов Siа) Lext=2,1мкмб) Lext=1,05мкмв) Lext=0,75мкмХ-лучевые топограмы монокристала Si:CuKα-излучение, входящая плоскость (111)1112221-исходная область;2-имплантированаяс17
Текст слайда:

Топография монокристалов Si

а) Lext=2,1мкм

б) Lext=1,05мкм

в) Lext=0,75мкм

Х-лучевые топограмы монокристала Si:

CuKα-излучение,
входящая плоскость (111)

1

1

1

2

2

2

1-исходная область;
2-имплантированаяс

17


Слайд 7
Атомно-силовая микроскопия образца Siб)а)Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Siа) исходная областьб) имплантированая область18
Текст слайда:

Атомно-силовая микроскопия образца Si

б)

а)

Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Si

а) исходная область
б) имплантированая область

18


Слайд 8
Схема трехосного рентгеновского дифрактометра	 Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO.
Текст слайда:

Схема трехосного рентгеновского дифрактометра

Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .

Рентгеновская трубка

монохроматор

исследуемый образец

детектор


Слайд 9
Кривые дифракционного отражения монокристалла Si 	 -800    -600
Текст слайда:

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si


-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800 ∆θ

lg(I/I0)

1E-3

0.1

1

2

отражение (111),
CuКa- излучение

1 – исходная область,
2 – имплантированная область


Слайд 10
Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:сопоставление теоретической и экспериментальных кривых
Текст слайда:

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si:
сопоставление теоретической и экспериментальных кривых

-600 -400 -200 0 200 400 600 ∆θ

lg(I/I0)

отражение (333),
CuКα - излучение

1 – экспериментальная кривая,
2 – теоретически рассчитанная кривая.

1

2

0  500 1000 1500 2000 2500 Z, нм

2

1

0

-1

-2

∆d/d *10-3

Профиль деформации в приповерхностных
слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора

0 2000 4000 6000 8000 Z,E

6

5

4

3

2

n*10-19

1

Распределение имплантированных ионов фосфора
в кристалле кремния, полученное с помощью
программного пакета SRIM-2003


Слайд 11
Выводы:.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы
Текст слайда:

Выводы:

.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы кривых качания, особенно их “хвостов”, относительно исходной части образца. Наблюдается также незначительное увеличение полуширины кривых качания и отношения интегральной интенсивности к высоте максимума кривой.
Из полученного распределения имплантированных ионов следует, что максимальное значение концентрации имплантанта n=5.75·1019 см-3 наблюдается на глубине порядка ~2500Å.
Исходя из численных решений уравнений Такаги – Топена, а также из расчетов на основании обобщенной динамической теории дифракции рентгеновских лучей построен профили деформации в поверхностных слоях кремния
Оценены средний радиус и концентрация микродефектов: дискообразные кластеры – размер ~0,5 мкм, концентрация ~ 107÷108 см-3; сферические кластеры – размер ~0,011 мкм, концентрация ~1012÷1013 см-3 ; дислокационные петли – размер ~0,7 мкм, концентрация ~108÷109 см-3
Определенная с помощью атомно-силовой микроскопии высота Rа характерного рельефа неровностей на имплантированной ионами поверхности, равна ~0,273 нм