Что такое findslide.org?

FindSlide.org - это сайт презентаций, докладов, шаблонов в формате PowerPoint.


Для правообладателей

Обратная связь

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Яндекс.Метрика

Презентация на тему Структурні дослідження електрохімічних інтерфейсів методами малокутового розсіяння нейтронів та нейтронної рефлектометрії

Содержание

Проблематика роботи Труднощі у дослідженні динаміки утворення та існування міжфазного твердого шару електроліту (МТШЕ) на границі твердого електроду рідкого електроліту.Проблема:Можливе вирішення:Основнаідея: Використання методів малокутового розсіяння нейтронів та нейтронної рефлектометрії для діагностики МТШЕ. Відпрацювати методику діагностики МТШЕ та дослідити динаміку
Структурні дослідження електрохімічних інтерфейсів методами малокутового розсіяння нейтронів та нейтронної рефлектометріїСтудент: Косячкин Проблематика роботи	Труднощі у дослідженні динаміки утворення та існування міжфазного твердого шару електроліту Мета роботиРозробка методики дослідження МТШЕ у літій-іонових акумуляторах;Дослідження динаміки утворення та існування Поставлені задачіОзнайомитися з теоретичними основами методів нейтронної діагностики;Змоделювати типові задачі нейтронної рефлектометрії Нейтронна рефлектометрія	Нейтронна рефлектометрія – неруйнівний метод для дослідження ядерних та магнітних густин Типові задачі нейтронної рефлектометріїНейтронна хвиля на границі поділу двох напівнескінченних середовищ;Нейтронна хвиля Два напівнескінчених середовища з ідеально рівною границею поділуРис.1. Границя двох середовищ (ліворуч), рефлектометрична крива (праворуч).6 Два напівнескінчених середовища з нерівною границею поділусходинка не прямокутна (краї згладжені);Інтенсивність відбитої Два напівнескінчених середовища з проміжним шаромРішення хвильового рівняння для потенційного бар'єру шириною Рис.4. Рефлектометрична крива Si-SiO2-D20 з товщиною SiO2, d=150A.Інтерференційні максимуми знаходяться на відстані Багатошарові системиМетод оптичних матриць;Метод ітерацій Паррата (ПО: Parratt32, Motofit)Рис.5. Рефлектометричні криві для Рис.6. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з різною товщиною мультишару D, але Багатошарова система з нерівними границямиРис.7. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з нерівними границями між шарами12 Результати рефлектометричного експерименту та їх інтерпретаціяВ результаті експерименту отримуємо залежність коефіцієнта відбивання ВисновкиРозглянуті основні задачі нейтронної рефлектометрії;На прикладі розглянутих задач встановлено вплив зміни параметрів Подальші завданняОзнайомлення, з об’єктами досліджень (літій-іонні акумулятори, електроліти, МТШЕ);За допомогою комп’ютерного моделювання Дякую за увагу!
Слайды презентации

Слайд 2 Проблематика роботи
Труднощі у дослідженні динаміки утворення та існування

Проблематика роботи	Труднощі у дослідженні динаміки утворення та існування міжфазного твердого шару

міжфазного твердого шару електроліту (МТШЕ) на границі твердого електроду

рідкого електроліту.

Проблема:

Можливе
вирішення:

Основна
ідея:



Використання методів малокутового розсіяння нейтронів та нейтронної рефлектометрії для діагностики МТШЕ.

Відпрацювати методику діагностики МТШЕ та дослідити динаміку його утворення та існування під час циклічної роботи акумулятора. Дослідити вплив МТШЕ на робочі параметри акумулятора.

1


Слайд 3 Мета роботи
Розробка методики дослідження МТШЕ у літій-іонових акумуляторах;
Дослідження

Мета роботиРозробка методики дослідження МТШЕ у літій-іонових акумуляторах;Дослідження динаміки утворення та

динаміки утворення та існування МТШЕ при циклічній роботі акумуляторів;
Дослідження

впливу МТШЕ на робочі параметри літій-іонних акумуляторів.

2


Слайд 4 Поставлені задачі
Ознайомитися з теоретичними основами методів нейтронної діагностики;
Змоделювати

Поставлені задачіОзнайомитися з теоретичними основами методів нейтронної діагностики;Змоделювати типові задачі нейтронної

типові задачі нейтронної рефлектометрії за допомогою ПЗ: MatLab, IgorPRO(Motofit),

Parratt32;
Підготувати звіт за результатами роботи.

3


Слайд 5 Нейтронна рефлектометрія
Нейтронна рефлектометрія – неруйнівний метод для дослідження

Нейтронна рефлектометрія	Нейтронна рефлектометрія – неруйнівний метод для дослідження ядерних та магнітних

ядерних та магнітних густин системи за глибиною в нанорозмірних

масштабах, який заснований на реєстрації інтенсивностей падаючої та відбитої від зразка нейтронних хвиль.

4


Слайд 6 Типові задачі нейтронної рефлектометрії
Нейтронна хвиля на границі поділу

Типові задачі нейтронної рефлектометріїНейтронна хвиля на границі поділу двох напівнескінченних середовищ;Нейтронна

двох напівнескінченних середовищ;

Нейтронна хвиля на границі поділу двох напівнескінченних

середовищ з тонким шаром речовини між ними;

Нейтронна хвиля на границі поділу двох напівнескінченних середовищ з багатошаровою двохкомпонентною системою між ними.

5


Слайд 7 Два напівнескінчених середовища з ідеально рівною границею поділу

Рис.1.

Два напівнескінчених середовища з ідеально рівною границею поділуРис.1. Границя двох середовищ (ліворуч), рефлектометрична крива (праворуч).6

Границя двох середовищ (ліворуч), рефлектометрична крива (праворуч).
6


Слайд 8 Два напівнескінчених середовища з нерівною границею поділу
сходинка не

Два напівнескінчених середовища з нерівною границею поділусходинка не прямокутна (краї згладжені);Інтенсивність

прямокутна (краї згладжені);
Інтенсивність відбитої хвилі має вигляд фактора Дебая-Уоллера:


Де

I(kz), I0(kz) – відбиті інтенсивності за наявності та відсутності нерівносей поверхні.

- квадрат среднього відхилення від плоскої поверхні

Рис.2. Вплив нерівності поверхні на рефлектометричну криву.

7


Слайд 9 Два напівнескінчених середовища з проміжним шаром
Рішення хвильового рівняння

Два напівнескінчених середовища з проміжним шаромРішення хвильового рівняння для потенційного бар'єру

для потенційного бар'єру шириною d;
Метод оптичних матриць;
Метод ітерацій Паррата;
Рис.3.

Границя двох середовищ з проміжним шаром (ліворуч), рефлектометрична крива Si-SiO2-D20(праворуч).

8


Слайд 10 Рис.4. Рефлектометрична крива Si-SiO2-D20 з товщиною SiO2, d=150A.
Інтерференційні

Рис.4. Рефлектометрична крива Si-SiO2-D20 з товщиною SiO2, d=150A.Інтерференційні максимуми знаходяться на

максимуми знаходяться на відстані 2π/d (в звортоному просторі).
Рис.4. Рефлектометрична

крива Si-SiO2-D20 з товщиною SiO2, d=150A.

9


Слайд 11 Багатошарові системи
Метод оптичних матриць;
Метод ітерацій Паррата (ПО: Parratt32,

Багатошарові системиМетод оптичних матриць;Метод ітерацій Паррата (ПО: Parratt32, Motofit)Рис.5. Рефлектометричні криві

Motofit)
Рис.5. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з однаковою товщиною

мультишару, але різними кількостями мультишарів

10


Слайд 12 Рис.6. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з різною

Рис.6. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з різною товщиною мультишару D,

товщиною мультишару D, але одинаковою загальною товщиною d
Відстань між

великими піками на рефлектометричній кривій зворотньопропорційна товщині одного мультишару, а між маленькими – товщині всієї багатошарової системи.

Рис.6. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з різною товщиною мультишару D, але одинаковою загальною товщиною d

11


Слайд 13 Багатошарова система з нерівними границями
Рис.7. Рефлектометричні криві для

Багатошарова система з нерівними границямиРис.7. Рефлектометричні криві для багатошарових систем з нерівними границями між шарами12

багатошарових систем з нерівними границями між шарами
12


Слайд 14 Результати рефлектометричного експерименту та їх інтерпретація
В результаті експерименту

Результати рефлектометричного експерименту та їх інтерпретаціяВ результаті експерименту отримуємо залежність коефіцієнта

отримуємо залежність коефіцієнта відбивання від вектору розсіяння R(Q);

Виходячи з

початкових відомостей про систему (склад, концентрації, розміри, нерівності/дифузії), в ПО (Parrat, Motofit…) складається модель за допомогою якої відбувається апроксимація експериментальних даних;

Змінюючи параметри моделі, досягається мінімальне їх відхилення від реальних параметрів системи.

13


Слайд 15 Висновки

Розглянуті основні задачі нейтронної рефлектометрії;

На прикладі розглянутих задач

ВисновкиРозглянуті основні задачі нейтронної рефлектометрії;На прикладі розглянутих задач встановлено вплив зміни

встановлено вплив зміни параметрів системи на рефлектометричну криву;

Приведена послідовність

інтерпретації даних, отриманих з експерименту.

14


Слайд 16 Подальші завдання
Ознайомлення, з об’єктами досліджень (літій-іонні акумулятори, електроліти,

Подальші завданняОзнайомлення, з об’єктами досліджень (літій-іонні акумулятори, електроліти, МТШЕ);За допомогою комп’ютерного

МТШЕ);

За допомогою комп’ютерного моделювання пошук параметрів об’єктів, які суттєво

впливають на рефлектометричну криву;

Розробка/оптимізація методу нейтронної діагностики об’єктів дослідження;

Проведення експериментів по дослідженню електрохімічних інтерфейсів в обраних об’єктах.

15


  • Имя файла: strukturnі-doslіdzhennya-elektrohіmіchnih-іnterfeysіv-metodami-malokutovogo-rozsіyannya-neytronіv-ta-neytronnoї-reflektometrії.pptx
  • Количество просмотров: 115
  • Количество скачиваний: 0