Презентация на тему Современные проблемы физики наноструктурных материалов. Методы аттестации структуры наноматериалов

на дифракции рентгеновских лучей (рентгеноструктурный анализ)
EXAFS
Мессбауеровская спектроскопия
Спектроскопия аннигиляции позитронов

амплитудным контрастом некоторые из продифрагированных на образце лучей убирается

апертурной диафрагмой. Изображение определяется амплитудой прошедших через образец лучей. Дефекты меняют амплитуду и видны на изображении.

Фазовый контраст формируется путем сложения прошедших и рассеянных электронов с учетом разности фаз. Используется при прямом разрешении плоскостей решетки

изображение: проходит продифрагированный луч; наклоном луча, а не диафрагмы

получают центрированное темнопольное изображение

Светлопольное изображение: через апертурную диафрагму проходит прямой луч

второй фазы и ГЗ. Светлопольное изображение
Нерж. сталь. Видны двойники

и дислокации
Светлопольное и темнопольное изображения

углам используется характеристическое излучение, то есть монохроматический луч, длина

волны которого известна с точностью около 0.004%. Производится сканирование по углам отражения и строится дифрактограмма, на которой имеются пики, соответствующие условию дифракции Вульфа-Бреггов.

Схема фокусировки пучка по Бреггу-Брентано

1 – образец
2 – детектор
3 – фокус источника
Пунктир – фокусирующая
Окружность
Детектор движется с угловой скоростью, в два раза превышающей скорость вращения образца

На дифрактограмме появляются пики, соответствующие плоскостям (hkl), когда выполняется условие дифракции:


В эти пики вносят вклад плоскости отдельных зерен, параллельные плоскости поверхности образца

Калин Б.А. Физ. Материаловедение. Т.3. 2008

диффузный фон, положения пиков, высота пиков, форма пиков, ширина

пиков

интерференции
Например, (200) – линия отражения 2-го порядка от плоскостей

(100), (420) – линия второго порядка от плоскости (210) и т.д.

Задача индексирования состоит в определении индексов отражений и, соответственно, индексов плоскостей, соответствующих всем отражениям, с учетом типа решетки
1. О.ц.к. – линии, для которых сумма индексов H+K+L – четное число. H2+K2+L2=2,4, 8,10,12,14,…; HKL = 110, 200, 211, 220, 310, 222, 321, 400, 411, 330, 420,…
2. Г.ц.к. – линии, для которых индексы H, K, L имеют одинаковую четность. H2+K2+L2= 3,4, 8,11,12,16,19,…; HKL = 111, 200, 220, 311, 222, 400, 331, 420, 422, 333, 511,…

по линии с максимальным углом θ, или как среднее

значений, определенных по двум линиям с θ > 70°

Погрешность определения a:

Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Ренгтенографический и электронно-оптический анализ. Работа 7

полуширина пика или интегральная ширина пика
Полуширина (full width at

half maximum, FWHM, Γ) – ширина пика на половине его высоты
Интегральная ширина (integral breadth, β) – ширина прямоугольника той же высоты и той же площади, что и пик, или площадь пика, деленная на высоту

Связь между двумя параметрами для разных форм пиков

Лоренцова: β = (π/2)Г, Гауссова: β ={ π/(4ln2)}Г

малом размере кристаллитов линия уширяется, инт. ширина равна (Шеррер,

1918)

Если кристаллиты в порошках или поликристалле разбиты на разориентированные участки (блоки мозаики, ячейки, субзерна), от областями когерентного рассеяния являются эти элементы структуры.
В нанокристаллах могут иметься структуры с непрерывно меняющейся ориентацией решетки, тогда размер ОКР – это некоторый характерный размер модуляции таких структур, не подлежащий точному определению

A. R., Wilson A. J. C. The Diffraction of

X-rays by Distorted Crystal Aggregates-I // Proc. Phys. Soc. Lond. 1944. V. 56. P. 174–181

Микродеформации (вариации межплоскостных расстояний) в кристаллах приводят также к уширешию линий. Если есть микродеформации (например, как следствие пластичсекой деформации), можно считать, что кристалл разбит на блоки, каждый из которых характеризуется в выбранном направлении (hkl) своим значением межплоскостного расстояния, лежащим в пределах от d-Δd до d-Δd. В этом приближении каждый блок расеивает лучи независимо от други блоков и дает максимум в положении, отличающемся от максимума, который дает недеформированная решетка. В итоге суммарный максимум окажется размытым.

ВИЛЬЯМСОНА-ХОЛЛА
Разделение вкладов основано на разной зависимости уширений, вызванных размерами

ОКР и микродеформациями, от угла.

число атомов находится не в кристаллической решетке, появляется значительный

диффузный фон рассеяния (дискуссионный вопрос – подлежит обсуждению при анализе структуры границ в нанокристаллах)

РЕНТГЕНОВСКОГО СПЕКТРА ПОГЛОЩЕНИЯ)
Схема установки EXAFS. 1 – источник рентгеновского

синхротронного излучения; 2 – двухкристальный монохроматор; 3 – пролетный детектор-монитор падающего излучения; 4 – исследуемый образец; 5 – детектор полного поглощения, измеряющий интенсивность при съемке на прохождение; 6 – детектор, измеряющий флуоресцентное излучение или выход вторичных частиц при съемке SEXAFS

EXAFS-спектроскопия – новый метод структурного анализа. Соросовский образовательный журнал.

1996. № 5. с. 79

энергии связи глубокого внутреннего уровня атома, происходит ионизация атомов

путем вырывания электронов с этого уровня – происходит поглощение фотонов

соответствующей энергии ионизации уровня, происходит резкое повышение коэффициента поглощения.

Далее при повышении частоты для изолированного атома коэф-т поглощения убывает монотонно. В конденсированных средах в интервале 1-1,5 кЭв от края поглощения наблюдаются осцилляции коэф-та поглощения

осциллирующей структуры является интерференция
первичной волны

фотоэлектрона со вторичными волнами , возникающими при ее рассеянии на атомах окружения.

Низкоэнергетические электроны имеют большую длину пробега, испытывают многократное отражение; высокоэнергетические электроны испытывают однократное отражение от соседей ионизированного атома.

с разной энергией в процессе

рассеяния является причиной того , что тонкую структуру спектров поглощения приходится делить на две части ( рис. 8): 1. низкоэнергетическую область, называемую ближней, или околопороговой , тонкой структурой – XANES (X-ray absorbtion near edge structure), которой соответствует энергия фотоэлектронов до ~ 30 эВ ( а в отдельных случаях до 50 эВ), где существенным оказывается многократное рассеяние; 2. высокоэнергетическую область, называемую протяженной, или дальней, тонкой структурой – EXAFS (Extended X-ray absorbtion fine structure), где главный вклад в поглощение дает однократное рассеяние фотоэлектрона.

И EXAFS
Изменение симметрии (углового распределения) атомов, окружающих поглощающий атом

в веществе, влияет на характер спектра в области XANES, тогда как спектр в области EXAFS остается неизменным.

поглощения определяется функцией χ(k), где k- волновой вектор фотоэлектрона.

μ1 определяется экстраполяцией, μ0- интерполяцией соответствующих частей спектра

параметров первой координационной сферы: радиус (точность 10-3 нм), координационные

числа и амплитуды относительных колебаний (точность 20-30%).
Искажения решетки атомами примеси (изменение межатомных расстояний около примесных атомов с точностью до сотых долей ангстрем)
Определенире местоположения атомов водорода в кристаллах
Исследование структуры аморфных материалов
Исследование структуры наноматериалов
…

6 т. Под ред. Б.А. Калина. Т. 3. Методы

исследования структурно-фазового состояния материалов. М.: МИФИ, 2008. - 808 с. С. 352-362.
Ведринский Р.В. EXAFS-спектроскопия - новый метод структурного анализа. Соросовский образовательный журнал. 1996. № 5. С. 79-84.
Зыкин М.А., Зубавичус Я.В. EXAFS и XANES спектроскопия. Методическая разработка. М.: МГУ, 2011. 51 с.

Соросовский образовательный журнал. 1998. № 8. с. 82

ядрами невозможно!
1. Закрепленные ядра
2. Свободные ядра
τ = 10-8 -

10-7 c
Г = 10-8 - 10-7 эВ

Возможно резонансное поглощение

При испускании энергия гамма-кванта меньше E0, при поглощении должна быть больше E0 на величину энергии отдачи ядра

То есть, линии поглощения и испускания разнесены на 2ER. Для 57Fe эта разница составляет 4·10-3 эВ – на 4-5 порядков больше естественной ширины линий

Естественная ширина линии

потери энергии на отдачу называется эффектом Мессбауера.

Эффект открыт Мессбауером

в 1958 г., а в 1961 г. он получил за это открытие Нобелевскую премию.

Если ядро находится в кристаллической решетке, то возможно испускание и поглощение кванта без отдачи.

Кристалл – набор осцилляторов, энергии которых квантованы:

Квант энергии в кристалле – энергия фонона -

Возможны три варианта излучения гамма-кванта в кристалле: 1) при большой энергии отдачи свободного атома – выбивание атома из узла решетки; 2) если энергия отдачи свободного атома меньше энергии связи атома в узле, но больше энергии фонона – возбуждение фонона, то есть колебаний решетки; 3) если энергия отдачи атома меньше энергии фонона, она передается всему кристаллу, масса которого много больше массы ядра, поэтому энергия отдачи пренебрежимо мала:

кристаллах с более жесткой связью атомов (высокая температура Дебая),

при не очень большой энергия квантов и большой массе ядер.

В модели Дебая для колебаний кристаллической решетки

используется в мессбауерографии, обозначены толстыми стрелками

счет эффекта Доплера:
Гэксп=2Г ~ 10-7 эВ
Если излучатель и поглотитель

имеют одинаковую химическую формулу и структуру, наблюдается одна линия поглощения

ЯГР спектр – это зависимость интенсивности прошедшего гамма-излучения от скорости источника

формировании химической связи валентные электроны образуют специфическую для данного

вещества электронную структуру. Электронно-ядерное взаимодействие зависит от типа связи и от конкретного вещества, в котором находятся излучающие ядра. Это взаимодействие по-разному в разных веществах меняет положения уровней основного и возбужденного состояний ядер.

Изомерный сдвиг – это разность энергий резонансного перехода ядер в поглотителе и источнике или сдвиг положения центра спектральной линии, выраженный в единицах энергии или скорости.

0
Q < 0
Q > 0
S = 0, 1/2
S >

1/2

57Fe, 119Sn:
S = 1/2 (осн. cост.), S = 3/2 (возбужд. сост.)

Взаимодействие квадрупольного момента ядра с градиентом электрического поля приводит к расщеплению возбужденного уровня на два подуровня, то есть появляется дуплет:

Происходит квадруполное расщепление линий спектра, симметричное относительно нерасщепленной линии

моментом μ находится в магнитном поле B (внешнем или

обусловленном спонтанной намагниченностью в ферромагнетиках), его энергия равна E=μ·B. Поскольку проекция магнитного момента на направление поля квантуется и принимает (2I+1) значений, изменение энергии в магнитном поле тоже принимает (2I+1) невырожденных значений.

57Fe, 119Sn – I=1/2, 2I+1=2 для основного состояния, I=3/2, 2I+1=4 для возбужденного состояния

Правила отбора для переходов: ΔmI=±1

Соотношение интенсивностей линий: 3:2:1:1:2:3

Расстояние между пиками секстета связано с напряженностью сверхтонкого магнитного поля на ядре:
H (кЭ)=31,1d1-6 (мм/с), 57,3d2-5, 85,5d3-4

механика
Возможна отрицательная энергия электрона – гипотеза об античастице электрона

Характеристики позитрона:
Заряд – +e
Масса – me
Спин – s=½
Обозначение – β+

Экспериментальное обнаружение при наблюдении космических лучей
(К.Д. Андерсен, 1932)
Название «позитрон» придумано им

Трек позитрона в камере Вильсона в магнитном поле

позволяет начать отсчет времени жизни позитрона

– снижение энергии до энергии тепловых колебаний (~kT~0.025 эВ

при Т~300 К) за счет возбуждения и ионизации атомов, рассеяния на фононах. При этом позитрон проникает на глубину ~10-100 мкм.
Стадия 2 – диффузия, или блуждание по решетке. Во время блуждания позитрон может аннигилировать в бездефектной зоне или может быть захвачен дефектом, в связи с чем время жизни может принимать различные значения (до нескольких наносекунд).

В области дефекта электронная структура другая, поэтому время аннигиляции в дефектах другое

бездеф. области и в дефекте
λ=1/τ, τ – время жизни
np,

nd – относительные числа позитронов в бездеф. области и в дефектах
μdCd – скорость захвата в дефектах, μd – коэфф. захвата, Cd – концентрация дефектов

Скорость изменения количества позитронов (измеряемое количество актов аннигиляции)

В общем случае k типов деефктов

ростом и деформированного кремния. Наличие дефектов приводит к добавлению

комопнент с большим временем жизни, поэтому кривая расположена выше
Компоненты в разным временем жизни определяются подгонкой
Гауссова форма кривых в левой части связана с функцией разрешения по времени
Ii позволяют определить относительные концентрации соответствующих дефектов