Презентация на тему Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов

технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения

полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

в) конструкция маломощного диода
Мощные выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения;

б) диодные силовые модули; в) конструкция силового диода

Структура точечного диода

Структура ПП диодов: а) с p-n переходом; б) с n –i переходом

напряжение Unp на диоде при Iан;
U обр. макс. доп.
напряжение

включения Uвкл
• обратный ток Iобр ;
rпр =ΔUпр /ΔIa - мало;
rобр =ΔUобр /ΔI0 -велико;
К динамическим параметрам относятся:
предельная частота без переключения fмах
•  время нарастания прямого тока tнар;
•  время рассасывания tрасс.
время восстановления tвос
τр - время жизни неосновных носителей

б) типовая ВАХ;

в) условное изображение.

IC max ; UПР .
ВАХ

стабилитрона

ВАХ стабистора

ёмкость
Ԛ = Xc/rпот - добротность
KC = Cmax

/Cmin – коэффициент перекрытия
αт =ΔC / C *ΔT- температурный коэффициент